下个月的创新大会上,Intel将会发布新一代酷睿Ultra处理器,代号Meteor Lake,首发Intel 4工艺,这是Intel第一代EUV光刻工艺,变化很大。
根据Intel之前所说,Intel 4工艺的其晶体管的每瓦性能将比现在用的Intel 7提高约20%,后续改进版的Intel 3会在Intel 4基础上再次实现每瓦性能上实现约18%的提升。
酷睿Ultra不仅会升级Intel 4工艺及新的架构,还会首次使用多芯片整合封装,CPU、核显、输入输出等各自独立,制造工艺也不尽相同。
Meteor Lake的CPU Tile模块是Intel 4工艺生产的,IOE Tile以及SoC Tile模块则是台积电6nm工艺生产的,Graphics Tile显卡模块则是台积电5nm工艺生产,还有个Base Tile则是Intel自家的22nm工艺生产。
在酷睿Ultra上,Intel做到了5个芯片合一,融合了4种不同的逻辑工艺。
与此同时,这代处理器也是Intel在工艺上追上甚至超越对手同级别工艺的开始,台积电当前最好的工艺也就是刚刚量产的3nm,首发于苹果iPhone 15系列所用的A17处理器。
Intel 4工艺的高性能库的晶体管密度可达1.6亿晶体管/mm2,是目前Intel 7的2倍,高于台积电的5nm工艺的1.3亿晶体管/mm2,接近台积电3nm的2.08亿晶体管/mm2。